Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors

Prati, Enrico; De Michielis, Marco; Belli, Matteo; Cocco, Simone; Fanciulli, Marco; Kotekar-Patil, Dharmraj; Ruoff, Matthias; Kern, Dieter P.; Wharam, David A.; Verduijn, Jan; Tettamanzi, Giuseppe C.; Rogge, Sven; Roche, Benoit; Wacquez, Romain; Jehl, Xavier; Vinet, Maud; Sanquer, Marc

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Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors

Autor(en):

Prati, Enrico; De Michielis, Marco; Belli, Matteo; Cocco, Simone; Fanciulli, Marco; Kotekar-Patil, Dharmraj; Ruoff, Matthias; Kern, Dieter P.; Wharam, David A.; Verduijn, Jan; Tettamanzi, Giuseppe C.; Rogge, Sven; Roche, Benoit; Wacquez, Romain; Jehl, Xavier; Vinet, Maud; Sanquer, Marc

Tübinger Autor(en):

Kotekar-Patil, Dharmraj
Ruoff, Matthias
Kern, Dieter P.
Wharam, David A.

Erschienen in:

Nanotechnology (2012), Bd. 23, Article 215204

Verlagsangabe:

Iop Publishing Ltd

Sprache:

Englisch

Referenz zum Volltext:

http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/23/21/215204

ISSN:

0957-4484