A parametrized numerical model to simulate the semiconductor influence of thick film metal oxide gas sensors

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dc.contributor Eberhard Karls Universität Tübingen de_DE
dc.contributor.author Bonanati, Peter de_DE
dc.date.accessioned 2020-12-15T09:16:10Z
dc.date.available 2020-12-15T09:16:10Z
dc.date.issued 2020 de_DE
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10900/110673
dc.language.iso en
dc.publisher Tübingen de_DE
dc.relation.uri http://dx.doi.org/10.15496/publikation-50185 de_DE
dc.title A parametrized numerical model to simulate the semiconductor influence of thick film metal oxide gas sensors de_DE
dc.type PhDThesis de_DE
utue.kommentar.intern Erscheint auch als Online-Ausgabe de_DE
utue.personen.roh Bonanati, Peter de_DE
utue.publikation.seitengesamt 102, 1 Seiten de_DE
utue.titel.verfasserangabe vorgelegt von Peter Bonanati de_DE
utue.publikation.abrufzeichen tdis de_DE
utue.publikation.swbdatum 2011 de_DE
utue.publikation.fachbereich 44 de_DE
utue.publikation.fakultaet 7 Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät de_DE
utue.artikel.ppn 1737569604 de_DE


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